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机译:电子束感应电流观察金属氧化物半导体场效应晶体管器件device氮氧化硅栅电介质中的泄漏部位
机译:辐射引起的反向沟道泄漏和反向栅极偏置对薄栅氧化物部分耗尽绝缘硅上n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏电流瞬态的影响
机译:通过应用伪随机序列表征基于硅纳米线的场效应晶体管中的泄漏电流
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
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机译:BS4.3 - 基于硅纳米线的场效应晶体管致死疾病歧视
机译:结型场效应晶体管中的γ诱导泄漏